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IPD60N10S4-12

更新时间： 2023-12-06 20:13:05

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IPD60N10S4-12 数据手册

IPD60N10S4-12

13 Avalanche energy

14 Drain-source breakdown voltage

E _AS= f(T _j); I _D= 30 A

V _BR(DSS)= f(T _j); I _D= 1 mA

110

108

106

104

102

100

140

120

100

-55

-15

105

145

125

175

T_j[°C]

15 Typ. gate charge

16 Gate charge waveforms

V _GS= f(Q _gate); I _D= 60 A pulsed

parameter: V _DD

V _GS

20 V

Q _g

80 V

V _gs(th)

Q _g(th)

Q _sw

Q _gate

Q _gd

Q _gs

Q_gate[nC]

Rev. 1.1

page 7

2023-01-30

1...4 5 678 9

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