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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 2.18 |
| 其他特性： | ULTRA LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 240 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0147 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD30N06S215ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD30N06S2-23 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| IPD30N06S223ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPD30N06S2L-13 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| IPD30N06S2L13ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPD30N06S2L13ATMA4 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPD30N06S2L-23 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| IPD30N06S3-24 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPD30N06S3L-20 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPD30N06S4L-23 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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