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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.2 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 262130 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | PG-TO252-3-11_FFW | Samacsys Released Date： | 2019-09-16 11:21:01 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SPD30N06S2L-23 | INFINEON |
类似代替  |
OptiMOS Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD30N06S3-24 | INFINEON |
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| IPD30N06S4L-23 | INFINEON |
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| IPD30N08S2-22 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| IPD30N08S2L-21 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| IPD30N08S2L21ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 75V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPD30N10S3L-34 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPD30N12S3L-31 | INFINEON |
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车规级MOSFET |
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