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IPB60R165CPATMA1 PDF预览

IPB60R165CPATMA1

更新时间： 2024-11-06 21:12:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 259K
描述
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IPB60R165CPATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：18 weeks
风险等级：7.87雪崩能效等级（Eas）：522 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：21 A
最大漏源导通电阻：0.165 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：61 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB60R165CPATMA1 数据手册

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IPB60R165CP  
CoolMOS® Power Transistor  
Features  
Product Summary  
V DS @ Tj,max  
R DS(on),max  
650  
0.165  
39  
V
• Lowest figure-of-merit RONxQg  
• Ultra low gate charge  
Ω
Q g,typ  
nC  
• Extreme dv/dt rated  
• High peak current capability  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
PG-TO263  
CoolMOS CP is specially designed for:  
• Hard switching topologies for Server and Telecom  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
IPB60R165CP  
PG-TO263  
SP000096439  
6R165P  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
21  
13  
Continuous drain current  
A
Pulsed drain current2)  
61  
I D,pulse  
E AS  
E AR  
I AR  
I D=7.9 A, V DD=50 V  
I D=7.9 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
522  
mJ  
A
2),3)  
2),3)  
0.79  
7.9  
Avalanche energy, repetitive t AR  
Avalanche current, repetitive t AR  
V DS=0...480 V  
static  
50  
±20  
MOSFET dv /dt ruggedness  
dv /dt  
V/ns  
V
V GS  
Gate source voltage  
±30  
AC (f >1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
192  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
-55 ... 150  
Operating and storage temperature  
°C  
Rev. 2.1  
page 1  
2009-06-05  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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