是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LQFP, | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.62 |
最长访问时间: | 12 ns | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 20 mm |
内存密度: | 4718592 bit | 内存集成电路类型: | ZBT SRAM |
内存宽度: | 36 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71V547S75PF | ETC |
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x36 Fast Synchronous SRAM | |
IDT71V547S75PF8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 7.5ns, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT71V547S75PF9 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 7.5ns, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT71V547S75PFG8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT71V547S80PF | IDT |
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128K X 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs | |
IDT71V547S80PFG | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT71V547S80PFI | IDT |
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128K X 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs | |
IDT71V547S85PF | IDT |
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128K X 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs | |
IDT71V547S85PF8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT71V547S85PF9 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 |