5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFP | 包装说明： | 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 |
| 针数： | 100 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.48 | 最长访问时间： | 3.3 ns |
| 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK)： | 183 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20 mm |
| 内存密度： | 4718592 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 36 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX36 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LQFP | 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.6 mm | 最大待机电流： | 0.035 A |
| 最小待机电流： | 3.14 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.35 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71V35761S183PFI9 | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 |
|
| IDT71V35761S200BG | IDT |
获取价格 |
128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin |
|
| IDT71V35761S200BGG | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
|
| IDT71V35761S200BGG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
|
| IDT71V35761S200BGGI | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
|
| IDT71V35761S200BGGI8 | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
|
| IDT71V35761S200BGI | IDT |
获取价格 |
128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin |
|
| IDT71V35761S200BGI8 | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, POWER, PLASTIC, BGA-119 |
|
| IDT71V35761S200BQ | IDT |
获取价格 |
128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin |
|
| IDT71V35761S200BQG | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165, GREEN, FBGA-165 |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
