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IDT71V35761SA166BGG8

更新时间： 2024-02-20 10:14:05

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	324K
描述
Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, GREEN, BGA-119

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IDT71V35761SA166BGG8 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	119
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.22
最长访问时间：	3.5 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e1
长度：	22 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX36
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.36 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

IDT71V35761SA166BGG8 数据手册

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128K x 36

IDT71V35761YS/S

IDT71V35761YSA/SA

3.3VSynchronousSRAMs

3.3VI/O,PipelinedOutputs

BurstCounter,SingleCycleDeselect

Features

Description

◆

128K x 36 memory configurations

The IDT71V35761 are high-speed SRAMs organized as

◆

Supports high system speed:

128Kx36.TheIDT71V35761SRAMscontainwrite,data,addressand

controlregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-timed

writebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewritecycle.

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

systemdesigner,astheIDT71V35761canprovidefourcyclesofdatafor

a single address presented to the SRAM. An internal burst address

counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

Commercial:

– 200MHz 3.1ns clock access time

CommercialandIndustrial:

– 183MHz 3.3ns clock access time

– 166MHz 3.5ns clock access time

LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆

Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone

enable (BWE), and byte writes (BWx)

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

3.3V I/O

Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 andthe LBO inputpin.

compliant)

cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode

operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput

datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The

orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter

◆

The IDT71V35761 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance

◆

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm

flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball 100-pin thinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray

grid array

(BGA) and 165 fine pitch ball grid array.

PinDescriptionSummary

A0-A17

Address Inputs

Input

Output

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

, CS

Chip Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BWE

BW , BW

(1)

, BW

CLK

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Test Mode Select

Test Data Input

Synchronous

ADV

ADSC

ADSP

LBO

TMS

TDI

Synchronous

N/A

TCK

TDO

TRST

Test Clock

Test Data Output

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

JTAG Reset (Optional)

Sleep Mode

I/O

-I/O31, I/OP1-I/OP4

DD, VDDQ

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

Supply

N/A

5301 tbl 01

MAY 2010

DSC-5301/05

12 3 4 5 6 7...21

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IDT71V35761SA166BGG8 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IDT71V35761SA166BG8	IDT	功能相似	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V35761SA166BG	IDT	功能相似	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin

与IDT71V35761SA166BGG8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V35761SA166BGGI	IDT	获取价格	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761SA166BGGI8	IDT	获取价格	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761SA166BGI	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V35761SA166BGI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V35761SA166BQ	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V35761SA166BQG	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, GREEN, FBGA-165
IDT71V35761SA166BQG8	IDT	获取价格	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761SA166BQGI	IDT	获取价格	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761SA166BQGI8	IDT	获取价格	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761SA166BQI	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin

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