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IDT71V35761SA166BQG

更新时间： 2024-02-12 04:19:37

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		计数器静态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	283K
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Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, GREEN, FBGA-165

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IDT71V35761SA166BQG 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	FBGA-165
针数：	165	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.6	最长访问时间：	3.5 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e0	长度：	15 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TBGA	封装等效代码：	BGA165,11X15,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.035 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.33 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	13 mm

IDT71V35761SA166BQG 数据手册

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128K x 36, 256K x 18

IDT71V35761S

IDT71V35781S

IDT71V35761SA

IDT71V35781SA

3.3VSynchronousSRAMs

3.3VI/O,PipelinedOutputs

BurstCounter,SingleCycleDeselect

Features

Description

◆

128K x 36, 256K x 18 memory configurations

The IDT71V35761/781 are high-speed SRAMs organized as

128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,

addressandcontrolregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerate

aself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendof

thewritecycle.

◆

Supports high system speed:

Commercial:

– 200MHz 3.1ns clock access time

CommercialandIndustrial:

– 183MHz 3.3ns clock access time

– 166MHz 3.5ns clock access time

LBO input selects interleaved or linear burst mode

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

systemdesigner,astheIDT71V35761/81canprovidefourcyclesofdata

forasingleaddress presentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress

◆

Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

enable (BWE), and byte writes (BWx)

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

3.3V I/O

accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone

cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode

operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput

datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The

◆

Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter

compliant)

andthe LBO inputpin.

◆

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad

TheIDT71V35761/781SRAMsutilizeIDT’slatesthigh-performance

flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm

grid array

100-pin thinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray

(BGA) and 165 fine pitch ball grid array.

PinDescriptionSummary

A0-A17

Address Inputs

Input

Output

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

CS0, CS¹

Chip Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BWE

(1)

BW¹, BW², BW³, BW⁴

CLK

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Test Mode Select

Test Data Input

Synchronous

ADV

ADSC

ADSP

LBO

TMS

Synchronous

N/A

TDI

TCK

Test Clock

TDO

Test Data Output

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

JTAG Reset (Optional)

Sleep Mode

TRST

I/O0-I/O31, I/OP1-I/OP4

VDD, VDDQ

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

Supply

V^SS

N/A

NOTE:

5301 tbl 01

1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V35781.

JUNE 2003

DSC-5301/03

12 3 4 5 6 7...22

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