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IDT71V35761S200BGG

更新时间： 2024-11-10 00:31:31
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 972K
描述
3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

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IDT71V35761S200BGG 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：BGA,针数：119
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.45
最长访问时间：3.1 ns其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：R-PBGA-B119JESD-609代码：e1
长度：22 mm内存密度：4718592 bit
内存集成电路类型：CACHE SRAM内存宽度：36
功能数量：1端子数量：119
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX36
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.36 mm最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOM宽度：14 mm

IDT71V35761S200BGG 数据手册

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◆
               
128K x 36  
IDT71V35761S/SA  
3.3VSynchronousSRAMs  
3.3VI/O,PipelinedOutputs  
BurstCounter,SingleCycleDeselect  
Self-timed write cycle with global write control (GW), byte  
write enable (BWE), and byte writes (BWx)  
Power down controlled by ZZ input  
Features  
128K x 36 memory configurations  
Supports high system speed:  
3.3V I/O  
Commercial:  
– 200MHz 3.1ns clock access time  
CommercialandIndustrial:  
– 183MHz 3.3ns clock access time  
– 166MHz 3.5ns clock access time  
LBO input selects interleaved or linear burst mode  
Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1  
compliant)  
Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad  
flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine  
pitch ball grid array  
Green parts available, see ordering information  
3.3V core power supply  
FunctionalBlockDiagram  
LBO  
ADV  
INTERNAL  
ADDRESS  
CEN  
128K x 36-  
BIT  
MEMORY  
ARRAY  
CLK  
2
Burst  
Logic  
17/18  
Binary  
Counter  
ADSC  
A0*  
A1*  
Q0  
Q1  
CLR  
ADSP  
2
CLK EN  
A0,A1  
A2–A17  
A0 - A16/17  
GW  
ADDRESS  
REGISTER  
36  
36  
17/18  
Byte 1  
Write Register  
BWE  
Byte 1  
Write Driver  
BW1  
BW2  
9
9
Byte 2  
Write Register  
Byte 2  
Write Driver  
Byte 3  
Write Register  
Byte 3  
Write Driver  
BW3  
BW4  
9
9
Byte 4  
Write Register  
Byte 4  
Write Driver  
OUTPUT  
REGISTER  
CE  
Q
D
CS0  
Enable  
Register  
CLK EN  
DATA  
INPUT  
REGISTER  
CS1  
ZZ  
Powerdown  
D
Q
Enable  
Delay  
Register  
OE  
OUTPUT  
BUFFER  
OE  
,
36  
I/O0 — I/O31  
I/OP1 — I/OP4  
5301 drw 01  
TMS  
TDI  
TCK  
JTAG  
(SA Version)  
TDO  
TRST  
(Optional)  
NOVEMBER2014  
1
©2014 Integrated Device Technology, Inc.  
DSC-5301/07  
1234567...21

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与IDT71V35761S200BGG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT71V35761S200BGG8 IDT

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 		3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761S200BGGI IDT

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 		3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761S200BGGI8 IDT

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 		3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761S200BGI IDT

获取价格

 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V35761S200BGI8 IDT

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 		Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, POWER, PLASTIC, BGA-119
IDT71V35761S200BQ IDT

获取价格

 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V35761S200BQG IDT

获取价格

 		Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165, GREEN, FBGA-165
IDT71V35761S200BQG8 IDT

获取价格

 		3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761S200BQGI IDT

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 		3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761S200BQGI8 IDT

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