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IDT71V35761S200BQGI

更新时间： 2024-11-07 00:31:31

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器
页数	文件大小	规格书
21页	972K
描述
3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

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◆

128K x 36

IDT71V35761S/SA

3.3VSynchronousSRAMs

3.3VI/O,PipelinedOutputs

BurstCounter,SingleCycleDeselect

Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

write enable (BWE), and byte writes (BWx)

Power down controlled by ZZ input

Features

128K x 36 memory configurations

Supports high system speed:

3.3V I/O

Commercial:

– 200MHz 3.1ns clock access time

CommercialandIndustrial:

– 183MHz 3.3ns clock access time

– 166MHz 3.5ns clock access time

LBO input selects interleaved or linear burst mode

Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1

compliant)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine

pitch ball grid array

Green parts available, see ordering information

3.3V core power supply

FunctionalBlockDiagram

LBO

ADV

INTERNAL

ADDRESS

Sequence

Burst

CEN

128K x 36-

BIT

MEMORY

ARRAY

CLK

Burst

Logic

17/18

Binary

Counter

ADSC

A0*

A1*

CLR

ADSP

CLK EN

A0,A1

A2–A17

A0 - A16/17

ADDRESS

17/18

Byte 1

Write Register

BWE

Byte 1

Write Driver

BW1

BW2

Byte 2

Write Register

Byte 2

Write Driver

Byte 3

Write Register

Byte 3

Write Driver

BW3

BW4

Byte 4

Write Register

Byte 4

Write Driver

OUTPUT

CS0

Enable

CLK EN

DATA

INPUT

CS1

Powerdown

Enable

Delay

OUTPUT

BUFFER

I/O0 — I/O31

I/OP1 — I/OP4

5301 drw 01

TMS

TDI

TCK

JTAG

(SA Version)

TDO

TRST

(Optional)

NOVEMBER2014

DSC-5301/07

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V35761S200BQGI8	IDT	获取价格	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761S200BQI	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V35761S200PF	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V35761S200PF8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V35761S200PFG	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, GREEN, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V35761S200PFG8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, GREEN, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V35761S200PFGI	IDT	获取价格	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761S200PFGI8	IDT	获取价格	3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761S200PFI	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V35761SA	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin

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