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IAUS240N08S5N019

更新时间： 2023-12-06 20:08:11

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车规级MOSFET

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IAUS240N08S5N019 数据手册

IAUS240N08S5N019

13 Typical avalanche energy

E_AS= f(T _j)

14 Drain-source breakdown voltage

V_BR(DSS)= f(T _j); I _{D_typ}= 1 mA

parameter: I _D

800

700

60 A

600

500

400

120 A

300

200

240 A

100

-60

-20

100

140

180

125

175

T_j[°C]

15 Typ. gate charge

16 Gate charge waveforms

V_GS= f(Q _gate); I _D= 100 A pulsed

parameter: V_DD

16 V

64 V

V_GS

40 V

Q_g

Q_gate

Q_gd

Q_gs

100

120

Q_gate[nC]

Rev. 1.0

page 7

2018-05-25

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