Datasheet > 存储 > DRAM> HYS64V16302GU-7.5-C2

HYS64V16302GU-7.5-C2

更新时间： 2024-11-20 23:57:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		存储内存集成电路动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
13页	209K
描述
SDRAM\|16MX64\|CMOS\|DIMM\|168PIN\|PLASTIC

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HYS64V16302GU-7.5-C2 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.92 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

HYS64V16302GU-7.5-C2 数据手册

浏览型号HYS64V16302GU-7.5-C2的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号HYS64V16302GU-7.5-C2的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号HYS64V16302GU-7.5-C2的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号HYS64V16302GU-7.5-C2的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号HYS64V16302GU-7.5-C2的Datasheet PDF文件第6页

HYS 64V16302GU

SDRAM-Modules

3.3 V 16M × 64-Bit, 128MByte SDRAM Module

168-pin Unbuffered DIMM Modules

•

168 Pin unbuffered 8 Byte Dual-In-Line

SDRAM Modules for PC main memory

applications using 256Mbit technology

•

Programmed Latencies:

Product Speed

t_RCD

t_RP

-7

PC133

PC100-222, PC133-333 and PC133-222

versions

-7.5

-8

PC133

PC100

•

One bank 16M × 64 organization

Optimized for byte-write non-parity

•

Programmable CAS Latency, Burst Length,

and Wrap Sequence

(Sequential & Interleave)

JEDEC standard Synchronous DRAMs

(SDRAM)

•

Auto Refresh (CBR) and Self Refresh

Decoupling capacitors mounted on substrate

All inputs and outputs are LVTTL compatible

Serial Presence Detect with E²PROM

•

Single 3.3 V (± 0.3 V) power supply

SDRAM Performance:

-7/ -7.5 -8

Unit

PC133 PC100

Utilizes 16M × 16 (256Mbit SDRAMs in

TSOPII-54 packages with

8096 refresh cycles every 64 ms

f_CKClock

Frequency

(max.)

133

100

MHz

•

133.35 mm × 29.21 mm × 3.00 mm card size

with gold contact pads

(JEDEC MO-161)

t_ACClockAccess 5.4

Time

Description

The HYS 64V16302 is an industry standard 168-pin 8-byte Dual in-line Memory Module (DIMM)

which is organized as 16M × 64 in an one bank high speed memory arrays designed with 256 Mbit

Synchronous DRAMs for non-parity applications. The DIMMs use -7 speed sorted 16M × 16

organised 256Mbit SDRAM devices in TSOP54 packages to meet the PC133-222 requirements, -

7.5 for PC133-333 and -8 parts for the standard PC100 applications. Decoupling capacitors are

mounted on the PC board. The PC board design is according to INTEL’s module specification.

The DIMMs have a serial presence detect, implemented with a serial E2PROM using the 2-pin I²C

protocol. The first 128 bytes are utilized by the DIMM manufacturer and the second 128 bytes are

available to the end user.

All Infineon 168-pin DIMMs provide a high performance, flexible 8-byte interface in a 133.35 mm

long footprint.

Important Notice:

This module, which is based on 256MBit device technology can only be used in applications, where

the 256Mbit addressing is supported.

INFINEON Technologies

9.01

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与HYS64V16302GU-7.5-C2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYS64V16302GU-7.5-D	ETC	获取价格	x64 SDRAM Module
HYS64V16302GU-75-C2	INFINEON	获取价格	3.3 V 16M 】 64-Bit, 128MByte SDRAM Module 168
HYS64V16302GU-75-D	INFINEON	获取价格	3.3 V 16M 】 64-Bit, 128MByte SDRAM Module 168
HYS64V16302GU-7-D	INFINEON	获取价格	3.3 V 16M 】 64-Bit, 128MByte SDRAM Module 168
HYS64V16302GU-8-C2	INFINEON	获取价格	3.3 V 16M 】 64-Bit, 128MByte SDRAM Module 168
HYS64V2000GU-10	ETC	获取价格	x64 SDRAM Module
HYS64V2000GU-12	ETC	获取价格	x64 SDRAM Module
HYS64V2100G	INFINEON	获取价格	3.3V 2M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit SDRAM Module
HYS64V2100GCU-10	INFINEON	获取价格	3.3V 2M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit SDRAM Module
HYS64V2100GU-10	INFINEON	获取价格	3.3V 2M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit SDRAM Module

与HYS64V16302GU-7.5-C2相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

29
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

21
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

50
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

48

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HYS64V16302GU-7.5-C2

HYS64V16302GU-7.5-C2 技术参数

HYS64V16302GU-7.5-C2 数据手册

与HYS64V16302GU-7.5-C2相关器件

与HYS64V16302GU-7.5-C2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HYS64V16302GU-7.5-C2

HYS64V16302GU-7.5-C2 技术参数

HYS64V16302GU-7.5-C2 数据手册

与HYS64V16302GU-7.5-C2相关器件

与HYS64V16302GU-7.5-C2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？