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HYS64V2200GU-8

更新时间: 2024-11-20 22:48:23
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英飞凌 - INFINEON 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
17页 107K
描述
3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module

HYS64V2200GU-8 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:6 ns
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N168内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE内存宽度:64
端子数量:168字数:2097152 words
字数代码:2000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM168
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096最大待机电流:0.016 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.8 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HYS64V2200GU-8 数据手册

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3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module  
3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module  
HYS64/72V2200GU-8/-10  
HYS64/72V4220GU-8/-10  
168 pin unbuffered DIMM Modules  
168 Pin PC100 and PC66 compatible unbuffered 8 Byte Dual-In-Line SDRAM Modules  
for PC main memory applications  
1 bank 2M x 64, 2M x 72 and 2 bank 4M x 64, 4M x 72 organisation  
Optimized for byte-write non-parity or ECC applications  
JEDEC standard Synchronous DRAMs (SDRAM)  
Fully PC board layout compatible to INTELsRev. 1.0 module specification  
SDRAM Performance:  
-8  
-8-3  
100  
-10  
66  
Units  
MHz  
fCK  
tAC  
Clock frequency (max.)  
Clock access time  
100  
6
6
8
ns  
Programmed Latencies :  
Product Speed  
CL  
2
tRCD  
tRP  
-8  
PC100  
PC100  
PC66  
2
2
2
2
3
2
-8-3  
-10  
3
2
Single +3.3V(± 0.3V ) power supply  
Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence  
(Sequential & Interleave)  
Auto Refresh (CBR) and Self Refresh  
Decoupling capacitors mounted on substrate  
All inputs, outputs are LVTTL compatible  
2
Serial Presence Detect with E PROM  
Utilizes 2M x 8 SDRAMs in TSOPII-44 packages  
4096 refresh cycles every 64 ms  
133,35 mm x 31.75 mm x 4,00 mm card size with gold contact pads  
Semiconductor Group  
1
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