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HYS64V32220GCDL-8

更新时间： 2024-11-20 23:57:31

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其他 - ETC		内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
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x64 SDRAM Module

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3.3V SDRAM Modules

HYS64V32220GCDL

144 pin SO-DIMM SDRAM Modules

PC100 & PC133

256MB density in COB technique

• 144 Pin Eight Byte Small Outline Dual-In-Line Synchronous DRAM Modules

for notebook applications

• Two bank 32M x 64 non-parity module organisation

• suitable for use in PC100 and PC133 applications

• Performance:

-7.5

-8

PC133

3-3-3

PC100

2-2-2

Units

f_CK

t_AC

Clock frequency (max.)

133

5.4

100

MHz

Clock access time

CAS latency = 2 & 3

• Single +3.3V(± 0.3V ) power supply

• Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence

(Sequential & Interleave)

• Auto Refresh (CBR) and Self Refresh

• Decoupling capacitors mounted on substrate

• All inputs, outputs are LVTTL compatible

• Serial Presence Detect with E PROM

• Uses COB (“Chip-on-Board”) technique

• 4096 refresh cycles every 64 ms

• Gold contact pad

• This module family is fully pin and functional compatible

with the latest INTEL SO-DIMM specification

Semiconductor Group

172.99

12 3 4 5 6 7...16

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