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HYS64V32220GD-8A-A

更新时间: 2024-11-21 20:05:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 90K
描述
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 6ns, CMOS, SODIMM-144

HYS64V32220GD-8A-A 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SODIMM
包装说明:,针数:144
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36风险等级:5.84
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-XZMA-N144
内存密度:2147483648 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:144
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32MX64
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:ZIG-ZAGBase Number Matches:1

HYS64V32220GD-8A-A 数据手册

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3.3V SDRAM Modules  
HYS64V32220GD(L)-8A  
256MB PC100 144 pin SO-DIMM SDRAM Modules  
Preliminary information  
144 Pin Eight Byte Small Outline Dual-In-Line Synchronous DRAM Modules  
for PC 100 notebook applications  
Two bank 32M x 64 non-parity module organisation  
Performance:  
-8A  
PC100  
100  
Units  
MHz  
fCK  
tAC  
Clock frequency (max.)  
Clock access time  
CAS latency = 3  
6
ns  
Single +3.3V(± 0.3V ) power supply  
Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence  
(Sequential & Interleave)  
Auto Refresh (CBR) and Self Refresh  
Decoupling capacitors mounted on substrate  
All inputs, outputs are LVTTL compatible  
2
Serial Presence Detect with E PROM  
Uses 256Mbit SDRAM components in 16M x 16 SDRAM organisation  
8192 refresh cycles every 64 ms  
Gold contact pad  
This module family is fully compliant with the latest INTEL SO-DIMM layout specification  
INFINEON Technologies  
1
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