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HYS64V32220GCDL-7.5-X

更新时间： 2024-11-21 21:14:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	100K
描述
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, SODIMM-144

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HYS64V32220GCDL-7.5-X 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SODIMM
包装说明：	,	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-XZMA-N144
内存密度：	2147483648 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX64
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	ZIG-ZAG	Base Number Matches：	1

HYS64V32220GCDL-7.5-X 数据手册

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3.3V SDRAM Modules

HYS64V32220GCDL

144 pin SO-DIMM SDRAM Modules

PC100 & PC133

256MB density in COB technique

• 144 Pin Eight Byte Small Outline Dual-In-Line Synchronous DRAM Modules

for notebook applications

• Two bank 32M x 64 non-parity module organisation

• suitable for use in PC100 and PC133 applications

• Performance:

-7.5

-8

PC133

3-3-3

PC100

2-2-2

Units

f_CK

t_AC

Clock frequency (max.)

133

5.4

100

MHz

Clock access time

CAS latency = 2 & 3

• Single +3.3V(± 0.3V ) power supply

• Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence

(Sequential & Interleave)

• Auto Refresh (CBR) and Self Refresh

• Decoupling capacitors mounted on substrate

• All inputs, outputs are LVTTL compatible

• Serial Presence Detect with E PROM

• Uses COB (“Chip-on-Board”) technique

• 4096 refresh cycles every 64 ms

• Gold contact pad

• This module family is fully pin and functional compatible

with the latest INTEL SO-DIMM specification

Semiconductor Group

172.99

12 3 4 5 6 7...16

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