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HYS64V32200GU-8

更新时间: 2024-11-20 22:16:55
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英飞凌 - INFINEON 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
17页 87K
描述
3.3 V 16M x 64/72-Bit SDRAM Modules 3.3 V 32M x 64/72-Bit SDRAM Modules 3.3 V 64M x 64/72-Bit SDRAM Modules

HYS64V32200GU-8 数据手册

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3.3 V 16M × 64/72-Bit SDRAM Modules  
3.3 V 32M × 64/72-Bit SDRAM Modules  
3.3 V 64M × 64/72-Bit SDRAM Modules  
HYS 64/72V16200GU  
HYS 64/72V32220GU  
HYS 64/72V32200GU  
HYS 64/72V64220GU  
PC100-168 pin unbuffered DIMM Modules  
Preliminary Information  
• 168 Pin unbuffered 8 Byte Dual-In-Line SDRAM Modules for PC main memory applications  
• One bank 16M × 64, 16M × 72, 32M × 64 and 32M × 72 organization  
• Two bank 32M × 64, 32M × 72, 64M × 64 and 64M × 72 organization  
• Optimized for byte-write non-parity or ECC applications  
• Fully PC board layout compatible to INTEL’s Rev. 1.0 module specification  
• JEDEC standard Synchronous DRAMs (SDRAM)  
• SDRAM Performance:  
-8  
100  
6
-8B  
100  
6
Units  
MHz  
ns  
fCK  
tAC  
Clock frequency (max.)  
Clock access time  
• Programmed Latencies:  
Product Speed  
PC100  
CL  
tRCD  
tRP  
-8  
2
3
2
2
3
-8B  
PC100  
2
• Single + 3.3 V (± 0.3 V) power supply  
• Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence  
(Sequential & Interleave)  
• Auto Refresh (CBR) and Self Refresh  
• Decoupling capacitors mounted on substrate  
• All inputs, outputs are LVTTL compatible  
• Serial Presence Detect with E2PROM  
• Utilizes 32M × 8 SDRAMs in TSOPII-54 packages  
• Uses SIEMENS 128Mbit and 256Mbit SDRAM components  
• Gold contact pad  
• Card Size: 133.35 mm × 31.75 mm × 4.00 mm  
Semiconductor Group  
1
1998-08-01  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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