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HYS64V2100GU-10

更新时间： 2024-11-24 22:07:31

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英飞凌 - INFINEON		动态存储器
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3.3V 2M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit SDRAM Module

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HYS64V2100GU-10 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	8 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDMA-N168
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	64	端子数量：	168
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
最大待机电流：	0.016 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.8 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

HYS64V2100GU-10 数据手册

3.3V 2M x 64-Bit SDRAM Module

3.3V 2M x 72-Bit SDRAM Module

HYS64V2100G(C)U-10

HYS72V2100G(C)U-10

168 pin unbuffered DIMM Modules

• 168 Pin JEDEC Standard, Unbuffered 8 Byte Dual-In-Line SDRAM Module

for PC main memory applications

• 1 bank 2M x 64, 2M x 72 organisation

• Optimized for byte-write non-parity or ECC applications

• Fully PC66 layout compatible

• JEDEC standard Synchronous DRAMs (SDRAM)

• Performance:

-10

f_CK

t_AC

Max. Clock frequency

66 MHz @ CL=2

100 MHz @ CL=3

Max. access time from clock

9 ns @ CL=2

8 ns @ CL=3

• Single +3.3V(± 0.3V ) power supply

• Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence

(Sequential & Interleave)

• Auto Refresh (CBR) and Self Refresh

• Decoupling capacitors mounted on substrate

• All inputs, outputs are LVTTL compatible

• Serial Presence Detect with E PROM

• Utilizes eight / nine 2M x 8 SDRAMs in TSOPII-44 packages

• 4096 refresh cycles every 64 ms

• Gold contact pad

• Card Size: 133,35mm x 29,21mm x 3,00mm for HYS64/72V2100GU

• HYS64/72V2100GCU in chip-on-board technique

• Card Size : 133,35mm x 25,40mm x 3,00mm for HYS64/72V2100GCU

•

Semiconductor Group

12.97

12 3 4 5 6 7...12

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