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HYS64V16300GU-8

更新时间： 2024-11-20 23:57:31

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其他 - ETC		内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
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描述
x64 SDRAM Module

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HYS64V16300GU-8 数据手册

3.3V 16M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module

3.3V 32M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module

HYS64/72V16300GU

HYS64/72V32220GU

168 pin unbuffered DIMM Modules

• 168 Pin unbuffered 8 Byte Dual-In-Line SDRAM Modules for PC main memory applications

• PC100 & PC133 versions

• 1 bank 16M x 64, 16M x 72 and 2 bank 132M x 64, 32M x 72 organisation

• Optimized for byte-write non-parity (x64) or ECC (x72) applications

• JEDEC standard Synchronous DRAMs (SDRAM)

• Fully PC board layout compatible to INTEL’s Rev. 1.0 module specification

• SDRAM Performance:

-7.5

PC133

133

-8

Units

PC100

100

f_CK

t_AC

Clock frequency (max.)

Clock access time

MHz

5.4

• Programmed Latencies :

Product Speed

tRCD

tRP

-7.5

-8

PC133

PC100

• Single +3.3V(± 0.3V ) power supply

• Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence

(Sequential & Interleave)

• Auto Refresh (CBR) and Self Refresh

• Decoupling capacitors mounted on substrate

• All inputs, outputs are LVTTL compatible

• Serial Presence Detect with E PROM

• Utilizes 16M x 8 SDRAMs in TSOPII-54 packages with 4096 refresh cycles every 64 ms

• 133,35 mm x 31.75 mm x 4,00 mm card size with gold contact pads

INFINEON Technologies

182.99

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