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HYS64V16220GU-8-B

更新时间： 2024-11-25 13:00:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		存储内存集成电路动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
17页	87K
描述
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168

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HYS64V16220GU-8-B 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

HYS64V16220GU-8-B 数据手册

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3.3 V 8M × 64/72-Bit 1 Bank SDRAM Module

3.3 V 16M × 64/72-Bit 2 Bank SDRAM Module

HYS 64/72V8200GU

HYS 64/72V16220GU

168 pin unbuffered DIMM Modules

• 168 Pin PC100-compatible unbuffered 8 Byte Dual-In-Line SDRAM Modules

for PC main memory applications

• 1 bank 8M × 64, 8M × 72 and 2 bank 16M × 64, 16M × 72 organization

• Optimized for byte-write non-parity or ECC applications

• JEDEC standard Synchronous DRAMs (SDRAM)

• Fully PC board layout compatible to INTEL’s Rev. 1.0 module specification

• SDRAM Performance

-8

100

-8B

100

-10

Units

MHz

f_CKClock frequency (max.)

t_ACClock access time

• Programmed Latencies

Product Speed

t_RCDt_RP

-8

PC100

-8B

-10

PC100

PC66

• Single + 3.3 V (± 0.3 V ) power supply

• Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence

(Sequential & Interleave)

• Auto Refresh (CBR) and Self Refresh

• Decoupling capacitors mounted on substrate

• All inputs, outputs are LVTTL compatible

• Serial Presence Detect with E²PROM

• Utilizes 8M × 8 SDRAMs in TSOPII-54 packages

• 4096 refresh cycles every 64 ms

• 133.35 mm × 31.75 mm × 4.00 mm card size with gold contact pads

Semiconductor Group

1998-08-01

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYS64V16220GU-8-X	INFINEON	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
HYS64V16300GU	INFINEON	获取价格	3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte S
HYS64V16300GU-7.5	ETC	获取价格	x64 SDRAM Module
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HYS64V16300GU-7.5-C2	INFINEON	获取价格	3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte S
HYS64V16300GU-75-C2	INFINEON	获取价格	3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte S
HYS64V16300GU-7-C2	INFINEON	获取价格	3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte S
HYS64V16300GU-8	ETC	获取价格	x64 SDRAM Module
HYS64V16300GU-8-C	INFINEON	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
HYS64V16300GU-8-C2	INFINEON	获取价格	3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte S

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