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HYS64V16220GU-8-X

更新时间： 2024-11-21 21:02:39

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	141K
描述
Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168

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HYS64V16220GU-8-X 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	,	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.75
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX64
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

HYS64V16220GU-8-X 数据手册

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HYS 64/72V8300/16220GU

SDRAM-Modules

3.3 V 8M × 64/72-Bit 1 Bank SDRAM Module

3.3 V 16M × 64/72-Bit 2 Bank SDRAM Module

168-Pin Unbuffered DIMM Modules

• 168-Pin unbuffered 8-Byte Dual-In-Line

SDRAM Modules for PC main memory

applications

• Programmed Latencies:

Product Speed

CL t_RCD

t_RP

-7.5

-8

PC133

PC100

• PC100 and PC133 versions

• 1 bank 8M × 64, 8M × 72 and 2 bank

16M × 64, 16M × 72 organzation

• Single +3.3 V(±0.3 V) Power Supply

• Optimized for byte-write non-parity (x64) or

ECC (x72) applications

• Programmable CAS Latency, Burst Length,

and Wrap Sequence

(Sequential and Interleave)

• JEDEC standard Synchronous DRAMs

(SDRAM)

• Auto-Refresh (CBR) and Self-Refresh

• Decoupling capacitors mounted on substrate

• All inputs and outputs are LVTTL compatible

• Serial Presence Detect with E²PROM

• Fully PC board layout compatible to INTEL’s

Rev. 1.0 Module Specification

• SDRAM Performance:

-7.5

-8

Unit

• Utilizes 8M × 8 SDRAMs in TSOPII-54

packages with 4096 refresh cycles every

64 ms

PC133 PC100

f_CKClock

Frequency

(max.)

133

100

MHz

• 133.35 mm × 31.75 mm × 4,00 mm card size

with gold-contact pads

t_ACClock Access 5.4

Time

The HYS 64(72)V8300GU and HYS 64(72)V16220GU are industry-standard 168-pin 8-byte Dual

In-line Memory Modules (DIMMs) which are organized as 8M × 64, 8M × 72 in 1 bank and 16M × 64

and 16M × 72 in two banks of high-speed memory arrays designed with 64M Synchronous DRAMs

(SDRAMs) for non-parity and ECC applications. The DIMMs use -7.5 speed sorted 8M × 8 SDRAM

devices in TSOP54 packages to meet the PC133-333 requirements and use -8 components for the

standard PC100-222 applications. Decoupling capacitors are mounted on the PC board. The PC

board design is in accordance with INTEL’s PC SDRAM Rev. 1.0 Module Specification. The DIMMs

have Serial Presence Detect, implemented with a serial E²PROM using the two-pin I²C protocol.

The first 128 bytes are utilized by the DIMM manufacturer and the second 128 bytes are available

to the end user. All INFINEON 168-pin DIMMs provide a high performance, flexible 8-byte interface

in a 133.35 mm long footprint, with 1.25“ (31.75 mm) height.

Data Book

12.99

12 3 4 5 6 7...23

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HYS64V16300GU-7.5	ETC	获取价格	x64 SDRAM Module
HYS64V16300GU-7.5-C	INFINEON	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168
HYS64V16300GU-7.5-C2	INFINEON	获取价格	3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte S
HYS64V16300GU-75-C2	INFINEON	获取价格	3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte S
HYS64V16300GU-7-C2	INFINEON	获取价格	3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte S
HYS64V16300GU-8	ETC	获取价格	x64 SDRAM Module
HYS64V16300GU-8-C	INFINEON	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
HYS64V16300GU-8-C2	INFINEON	获取价格	3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte S
HYS64V16302GU	INFINEON	获取价格	3.3 V 16M 】 64-Bit, 128MByte SDRAM Module 168

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