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HYMD564726B8J-J

更新时间： 2024-11-18 05:38:47
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
30页 381K
描述
1184pin Unbufferd DDR SDRAM DIMMs

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HYMD564726B8J-J 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM184
针数：184Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.92访问模式：SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.7 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：166 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N184内存密度：4831838208 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE内存宽度：72
功能数量：1端口数量：1
端子数量：184字数：67108864 words
字数代码：64000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：64MX72输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM184封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2.5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192自我刷新：YES
最大待机电流：0.09 A子类别：Other Memory ICs
最大压摆率：4.14 mA最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

HYMD564726B8J-J 数据手册

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184pin Unbuffered DDR SDRAM DIMMs based on 512Mb B ver.  
This Hynix unbuffered Dual In-Line Memory Module (DIMM) series consists of 512Mb B ver. DDR SDRAMs in 400mil  
TSOP II packages on a 184pin glass-epoxy substrate. This Hynix 512Mb B ver. based unbuffered DIMM series provide  
a high performance 8 byte interface in 5.25" width form factor of industry standard. It is suitable for easy interchange  
and addition.  
FEATURES  
•
•
•
•
•
JEDEC Standard 184-pin dual in-line memory module  
(DIMM)  
•
•
Programmable Burst Length 2 / 4 / 8 with both  
sequential and interleave mode  
Two ranks 128M x 72, 128M x 64 and One rank 64M  
x 72, 64M x 64, 32M x 64 organization  
Edge-aligned DQS with data outs and Center-aligned  
DQS with data inputs  
•
•
•
•
Auto refresh and self refresh supported  
8192 refresh cycles / 64ms  
2.6V ± 0.1V VDD and VDDQ Power supply for  
DDR400, 2.5V ± 0.2V for DDR333 and below  
All inputs and outputs are compatible with SSTL_2  
interface  
Serial Presence Detect (SPD) with EEPROM  
Built with 512Mb DDR SDRAMs in 400 mil TSOP II  
packages  
Fully differential clock operations (CK & /CK) with  
133/166/200MHz  
•
Lead-free product listed for each configuration  
(RoHS compliant)  
•
•
DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition  
Programmable CAS Latency: DDR266(2, 2.5 clock),  
DDR333(2.5 clock), DDR400(3 clock)  
ADDRESS TABLE  
# of  
DRAMs  
Refresh  
# of row/bank/column Address  
Method  
Organization  
Ranks  
SDRAMs  
256MB  
512MB  
512MB  
1GB  
32M x 64  
64M x 64  
64M x 72  
128M x 64  
128M x 72  
1
1
1
2
2
32Mb x 16  
64Mb x 8  
64Mb x 8  
128Mb x 8  
128Mb x 8  
4
8
13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/10(A0~A9)  
13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/11(A0~A9,A11)  
13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/11(A0~A9,A11)  
13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/11(A0~A9,A11)  
13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/11(A0~A9,A11)  
8K / 64ms  
8K / 64ms  
8K / 64ms  
8K / 64ms  
8K / 64ms  
9
16  
18  
1GB  
PERFORMANCE RANGE  
-D431  
Part-Number Suffix  
Speed Bin  
-J  
DDR333  
2.5-3-3  
-
-H  
DDR266B  
2.5-3-3  
-
Unit  
-
DDR400B  
3-3-3  
200  
CL - tRCD- tRP  
CL=3  
CK  
MHz  
MHz  
MHz  
Max Clock  
CL=2.5  
166  
166  
133  
Frequency  
CL=2  
133  
133  
133  
Note:  
1. 2.6V ± 0.1V VDD and VDDQ Power supply for DDR400 and 2.5V ± 0.2V for DDR333 and below  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 1.1 / May. 2005  
1
1234567...30

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HYMD564726BP8-H HYNIX

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 		1184pin Unbufferd DDR SDRAM DIMMs
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 		1184pin Unbufferd DDR SDRAM DIMMs
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 		1184pin Unbufferd DDR SDRAM DIMMs
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 		184pin Unbuffered DDR SDRAM DIMMs
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 		64Mx72|2.5V|K/H/L|x9|DDR SDRAM - Unbuffered DIMM 512MB
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 		DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184
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 		DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184
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 		DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184

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