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HYMD564G726AL8-H

更新时间： 2024-11-20 05:38:47

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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描述
Registered DDR SDRAM DIMM

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HYMD564G726AL8-H 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM184	针数：	184
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.92
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.75 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N184
内存密度：	4831838208 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	184
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM184
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.09 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	3.42 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

HYMD564G726AL8-H 数据手册

64Mx72 bits

Registered DDR SDRAM DIMM

HYMD564G726A(L)8-M/K/H/L

DESCRIPTION

Preliminary

Hynix HYMD564G726A(L)8-M/K/H/L series is registered 184-pin double data rate Synchronous DRAM Dual In-Line

Memory Modules(DIMMs) which are organized as 64Mx72 high-speed memory arrays. Hynix HYMD564G726A(L)8-M/

K/H/L series consists of nine 64Mx8 DDR SDRAM in 400mil TSOPII packages on a 184pin glass-epoxy substrate.

Hynix HYMD564G726A(L)8-M/K/H/L series provide a high performance 8-byte interface in 5.25" width form factor of

industry stanard. It is suitable for easy interchange and addition.

Hynix HYMD564G726A(L)8-M/K/H/L series is designed for high speed of up to 133MHz and offers fully synchronous

operations referenced to both rising and falling edges of differential clock inputs. While all addresses and control inputs

are latched on the rising edges of the clock, Data, Data strobes and Write data masks inputs are sampled on both ris-

ing and falling edges of it. The data paths are internally pipelined and 2-bit prefetched to achieve very high bandwidth.

All input and output voltage levels are compatible with SSTL_2. High speed frequencies, programmable latencies and

burst lengths allow variety of device operation in high performance memory system.

Hynix HYMD564G726A(L)8-M/K/H/L series incorporates SPD(serial presence detect). Serial presence detect function

is implemented via a serial 2,048-bit EEPROM. The first 128 bytes of serial PD data are programmed by Hynix to iden-

tify DIMM type, capacity and other the information of DIMM and the last 128 bytes are available to the customer.

FEATURES

•

512MB (64M x 72) Registered DDR DIMM based on

64Mx8 DDR SDRAM

•

Fully differential clock operations (CK & /CK) with

125MHz/133MHz

•

JEDEC Standard 184-pin dual in-line memory mod-

ule (DIMM)

•

Programmable CAS Latency 2 / 2.5 supported

Programmable Burst Length 2 / 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

•

Error Check Correction (ECC) Capability

Registered inputs with one-clock delay

•

tRAS Lock-out function supported

Phase-lock loop (PLL) clock driver to reduce loading

2.5V +/- 0.2V VDD and VDDQ Power supply

Internal four bank operations with single pulsed RAS

Auto refresh and self refresh supported

8192 refresh cycles / 64ms

All inputs and outputs are compatible with SSTL_2

interface

ORDERING INFORMATION

Part No.

Power Supply

Clock Frequency

Interface

Form Factor

HYMD564G726A(L)8-M

HYMD564G726A(L)8-K

HYMD564G726A(L)8-H

HYMD564G726A(L)8-L

133MHz (*DDR266 2-2-2)

133MHz (*DDR266A)

133MHz (*DDR266B)

125MHz (*DDR200)

VDD=2.5V

VDDQ=2.5V

184pin Registered DIMM

5.25 x 1.7 x 0.15 inch

SSTL_2

* JEDEC Defined Specifications compliant

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.1/Jan. 2003

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