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HYMD564G726CFP8N-J

更新时间： 2024-11-18 05:38:47

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海力士 - HYNIX		动态存储器双倍数据速率
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23页	881K
描述
184pin Registered DDR SDRAM DIMMs

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HYMD564G726CFP8N-J 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM184
针数：	184	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.84	访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	167 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N184	JESD-609代码：	e1
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	184
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM184
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.54 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	3.8 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20

HYMD564G726CFP8N-J 数据手册

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184pin Registered DDR SDRAM DIMMs based on 512Mb C ver. (FBGA)

This Hynix Registered Dual In-Line Memory Module (DIMM) series consists of 512Mb C ver. DDR SDRAMs in 60 ball

FBGA package on a 184pin glass-epoxy substrate. This Hynix 512Mb C ver. based Registered DIMM series provide a

high performance 8-byte interface in 5.25" width form factor of industry standard. It is suitable for easy interchange

and addition.

FEATURES

•

JEDEC Standard 184-pin dual in-line memory module

(DIMM)

•

Programmable Burst Length 2 / 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

•

One rank 128M x 72, 64M x 72 organization

Error Check Correction (ECC) Capability

Edge-aligned DQS with data outs and Center-aligned

DQS with data inputs

•

Auto refresh and self refresh supported

8192 refresh cycles / 64ms

2.6V ± 0.1V VDD and VDDQ Power supply for

DDR400 and 2.5V ± 0.2V for DDR333

Serial Presence Detect (SPD) with EEPROM

•

All inputs and outputs are compatible with SSTL_2

interface

Built with 512Mb DDR SDRAMs in 60 ball FBGA pack-

ages

Fully differential clock operations (CK & /CK) with

166/200MHz

•

All lead-free products (RoHS compliant)

•

DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition

Programmable CAS Latency: DDR333(2.5 clock),

DDR400(3 clock)

ADDRESS TABLE

# of

DRAMs

Refresh

# of row/bank/column Address

Method

Organization

Ranks

SDRAMs

512MB

1GB

64M x 72

128M x 72

256M x 72

64Mb x 8

128Mb x 4

13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/11(A0~A9,A11)

8K / 64ms

13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/12(A0~A9,A11,A12)

2GB

PREFORMANCE

-D43¹

DDR400B

3-3-3

200

Part-Number Suffix

Speed Bin

-J

DDR333

2.5-3-3

Unit

CL - tRCD- tRP

CL=3

CL=2.5

CL=2

MHz

Max Clock

Frequency

166

133

Note:

1. 2.6V ± 0.1V VDD and VDDQ Power supply for DDR400 and 2.5V ± 0.2V for DDR333

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 1.4 / Aug. 2006

12 3 4 5 6 7...23

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYMD564G726L8	ETC	获取价格	64Mx72\|2.5V\|K/H/L\|x9\|DDR SDRAM - Registered DIMM 512MB
HYMD564G726L8-KH	HYNIX	获取价格	DRAM
HYMD564G726L8-L	HYNIX	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, 5.250 X 1.700 X 0.150 INCH, DIMM-184
HYMD564G726L8M	ETC	获取价格	64Mx72\|2.5V\|K/H/L\|x9\|DDR SDRAM - Low Profile Registered DIMM 512MB
HYMD564G726L8M-H	HYNIX	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
HYMD564G726L8M-K	HYNIX	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
HYMD564G726L8M-L	HYNIX	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184
HYMD564M6466	ETC	获取价格	64Mx64\|2.5V\|K/H/L\|x8\|DDR SDRAM - SO DIMM 512MB
HYMD564M6466-L	HYNIX	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.8ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200
HYMD564M6468	ETC	获取价格	64Mx64\|2.5V\|K/H/L\|x8\|DDR SDRAM - SO DIMM 512MB

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