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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SODIMM |
| 包装说明： | DIMM, DIMM200 | 针数： | 200 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.36 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.7 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XZMA-N200 |
| 内存密度： | 4294967296 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 200 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64MX64 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM200 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 2.6 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 自我刷新： | YES |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 2.2 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.6 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | ZIG-ZAG | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HYMD564M646A6-D43 | HYNIX |
获取价格 |
Unbuffered DDR SO-DIMM |
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| HYMD564M646A6-H | HYNIX |
获取价格 |
Unbuffered DDR SO-DIMM |
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| HYMD564M646A6-J | HYNIX |
获取价格 |
Unbuffered DDR SO-DIMM |
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| HYMD564M646A6-K | HYNIX |
获取价格 |
Unbuffered DDR SO-DIMM |
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| HYMD564M646A8-H | HYNIX |
获取价格 |
Unbuffered DDR SO-DIMM |
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| HYMD564M646A8-J | HYNIX |
获取价格 |
Unbuffered DDR SO-DIMM |
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| HYMD564M646A8-K | HYNIX |
获取价格 |
Unbuffered DDR SO-DIMM |
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| HYMD564M646AL6-D4 | HYNIX |
获取价格 |
Unbuffered DDR SO-DIMM |
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| HYMD564M646AL6-D43 | HYNIX |
获取价格 |
Unbuffered DDR SO-DIMM |
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| HYMD564M646AL6-H | HYNIX |
获取价格 |
Unbuffered DDR SO-DIMM |
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