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HYMD564M646BLP6-D43

更新时间： 2024-11-11 05:38:47

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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200pin Unbuffered DDR SDRAM SO-DIMMs based on 512Mb B ver. (TSOP)

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HYMD564M646BLP6-D43 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	DIMM, DIMM200,24
针数：	200	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N200
JESD-609代码：	e6	内存密度：	4294967296 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	200	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM200,24	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.6 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	2.36 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.6 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	Base Number Matches：	1

HYMD564M646BLP6-D43 数据手册

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200pin Unbuffered DDR SDRAM SO-DIMMs based on 512Mb B ver. (TSOP)

This Hynix unbuffered Small Outline, Dual In-Line Memory Module (DIMM) series consists of 512Mb B ver. DDR

SDRAMs in 400mil TSOP II packages on a 200pin glass-epoxy substrate. This Hynix 512Mb B ver. based unbuffered

SO-DIMM series provide a high performance 8 byte interface in 67.60mm width form factor of industry standard. It is

suitable for easy interchange and addition.

FEATURES

•

JEDEC Standard 200-pin small outline, dual in-line

memory module (SO-DIMM)

•

Programmable Burst Length 2 / 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

•

Two ranks 64M x 64 organization

Edge-aligned DQS with data outs and Center-aligned

DQS with data inputs

2.6V ± 0.1V VDD and VDDQ Power supply for

DDR400, 2.5V ± 0.2V for DDR333 and below

•

Auto refresh and self refresh supported

8192 refresh cycles / 64ms

•

All inputs and outputs are compatible with SSTL_2

interface

Serial Presence Detect (SPD) with EEPROM

Fully differential clock operations (CK & /CK) with

133/166/200MHz

Built with 512Mb DDR SDRAMs in 400 mil TSOP II

packages

•

DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition

•

Lead-free product listed for each configuration

(RoHS compliant)

Programmable CAS Latency: DDR266(2, 2.5 clock),

DDR333(2.5 clock), DDR400(3 clock)

ADDRESS TABLE

# of

DRAMs

Refresh

# of row/bank/column Address

Method

Organization

Ranks

SDRAMs

512MB

64M x 64

32Mb x 16

13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/10(A0~A9)

8K / 64ms

PERFORMANCE

-D43¹

Part-Number Suffix

Speed Bin

-J

DDR333

2.5-3-3

-H

DDR266B

2.5-3-3

Unit

DDR400B

3-3-3

200

CL - tRCD- tRP

CL=3

MHz

Max Clock

Frequency

CL=2.5

CL=2

166

133

Note:

1. 2.6V ± 0.1V VDD and VDDQ Power supply for DDR400 and 2.5V ± 0.2V for DDR333 and below

Rev. 1.1 / May. 2005

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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HYMD564M646BP6-D4	HYNIX	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, SODIMM-200
HYMD564M646BP6-D43	HYNIX	获取价格	200pin Unbuffered DDR SDRAM SO-DIMMs based on 512Mb B ver. (TSOP)
HYMD564M646BP6-H	HYNIX	获取价格	200pin Unbuffered DDR SDRAM SO-DIMMs based on 512Mb B ver. (TSOP)
HYMD564M646BP6-J	HYNIX	获取价格	200pin Unbuffered DDR SDRAM SO-DIMMs based on 512Mb B ver. (TSOP)
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HYMD564M646CP6-D43	HYNIX	获取价格	200pin DDR SDRAM SO-DIMMs based on 512Mb C ver. (TSOP)

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