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HYMD564G726BFP8N-J

更新时间： 2024-11-18 05:38:47

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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184pin Registered DDR SDRAM DIMMs

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HYMD564G726BFP8N-J 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM184
针数：	184	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	167 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N184
JESD-609代码：	e1	内存密度：	4831838208 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	184	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM184	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.54 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	4.79 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
Base Number Matches：	1

HYMD564G726BFP8N-J 数据手册

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184pin Registered DDR SDRAM DIMMs based on 512Mb B ver. (FBGA)

This Hynix Registered Dual In-Line Memory Module (DIMM) series consists of 512Mb B ver. DDR SDRAMs in 60 ball

FBGA package on a 184pin glass-epoxy substrate. This Hynix 512Mb B ver. based Registered DIMM series provide a

high performance 8-byte interface in 5.25" width form factor of industry standard. It is suitable for easy interchange

and addition.

FEATURES

•

JEDEC Standard 184-pin dual in-line memory module

(DIMM)

•

Programmable Burst Length 2 / 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

•

One rank 128M x 72, 64M x 72 organization

Error Check Correction (ECC) Capability

Edge-aligned DQS with data outs and Center-aligned

DQS with data inputs

•

Auto refresh and self refresh supported

8192 refresh cycles / 64ms

2.6V ± 0.1V VDD and VDDQ Power supply for

DDR400 and 2.5V ± 0.2V for DDR333

Serial Presence Detect (SPD) with EEPROM

•

All inputs and outputs are compatible with SSTL_2

interface

Built with 512Mb DDR SDRAMs in 60 ball FBGA pack-

ages

Fully differential clock operations (CK & /CK) with

166/200MHz

•

Lead-free product listed for each configuration

(RoHS compliant)

•

DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition

Programmable CAS Latency: DDR333(2.5 clock),

DDR400(3 clock)

ADDRESS TABLE

# of

DRAMs

Refresh

# of row/bank/column Address

Method

Organization

Ranks

SDRAMs

512MB

1GB

64M x 72

64Mb x 8

13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/11(A0~A9,A11)

8K / 64ms

128M x 72

128Mb x 4

13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/12(A0~A9,A11,A12)

PREFORMANCE

-D43¹

DDR400B

3-3-3

200

Part-Number Suffix

Speed Bin

-J

DDR333

2.5-3-3

Unit

CL - tRCD- tRP

CL=3

CL=2.5

CL=2

MHz

Max Clock

Frequency

166

133

Note:

1. 2.6V ± 0.1V VDD and VDDQ Power supply for DDR400 and 2.5V ± 0.2V for DDR333

Rev. 1.1 /May. 2005

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYMD564G726CFP8N-D43	HYNIX	获取价格	184pin Registered DDR SDRAM DIMMs
HYMD564G726CFP8N-J	HYNIX	获取价格	184pin Registered DDR SDRAM DIMMs
HYMD564G726L8	ETC	获取价格	64Mx72\|2.5V\|K/H/L\|x9\|DDR SDRAM - Registered DIMM 512MB
HYMD564G726L8-KH	HYNIX	获取价格	DRAM
HYMD564G726L8-L	HYNIX	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, 5.250 X 1.700 X 0.150 INCH, DIMM-184
HYMD564G726L8M	ETC	获取价格	64Mx72\|2.5V\|K/H/L\|x9\|DDR SDRAM - Low Profile Registered DIMM 512MB
HYMD564G726L8M-H	HYNIX	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
HYMD564G726L8M-K	HYNIX	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
HYMD564G726L8M-L	HYNIX	获取价格	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184
HYMD564M6466	ETC	获取价格	64Mx64\|2.5V\|K/H/L\|x8\|DDR SDRAM - SO DIMM 512MB

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