生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIMM |
包装说明: | DIMM, DIMM184 | 针数: | 184 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | SINGLE BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.75 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDMA-N184 |
内存密度: | 4831838208 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM MODULE |
内存宽度: | 72 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 184 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64MX72 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM184 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 2,5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.713 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 4.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYMD564G726A8-H | HYNIX |
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Registered DDR SDRAM DIMM | |
HYMD564G726A8-K | HYNIX |
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Registered DDR SDRAM DIMM | |
HYMD564G726A8-L | HYNIX |
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Registered DDR SDRAM DIMM | |
HYMD564G726A8-M | HYNIX |
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Registered DDR SDRAM DIMM | |
HYMD564G726A8M-H | HYNIX |
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Low Profile Registered DDR SDRAM DIMM | |
HYMD564G726A8M-K | HYNIX |
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Low Profile Registered DDR SDRAM DIMM | |
HYMD564G726A8M-L | HYNIX |
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Low Profile Registered DDR SDRAM DIMM | |
HYMD564G726A8M-M | HYNIX |
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Low Profile Registered DDR SDRAM DIMM | |
HYMD564G726AL8-H | HYNIX |
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Registered DDR SDRAM DIMM | |
HYMD564G726AL8-K | HYNIX |
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Registered DDR SDRAM DIMM |