生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIMM |
包装说明: | DIMM, DIMM184 | 针数: | 184 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.36 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | SINGLE BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.75 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N184 | 内存密度: | 4831838208 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM MODULE | 内存宽度: | 72 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 184 | 字数: | 67108864 words |
字数代码: | 64000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64MX72 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM184 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.713 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 4.07 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYMD564G7268-K | HYNIX |
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DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.700 X 0.150 INCH, DIMM-184 | |
HYMD564G7268-L | HYNIX |
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DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, 5.250 X 1.700 X 0.150 INCH, DIMM-184 | |
HYMD564G7268M | ETC |
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64Mx72|2.5V|K/H/L|x9|DDR SDRAM - Low Profile Registered DIMM 512MB | |
HYMD564G7268M-H | HYNIX |
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DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 | |
HYMD564G7268M-K | HYNIX |
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DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 | |
HYMD564G726A8-H | HYNIX |
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Registered DDR SDRAM DIMM | |
HYMD564G726A8-K | HYNIX |
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Registered DDR SDRAM DIMM | |
HYMD564G726A8-L | HYNIX |
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Registered DDR SDRAM DIMM | |
HYMD564G726A8-M | HYNIX |
获取价格 |
Registered DDR SDRAM DIMM | |
HYMD564G726A8M-H | HYNIX |
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Low Profile Registered DDR SDRAM DIMM |