5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > DRAM> HYMD564726BP8J-D43
HYMD564726BP8J-D43 PDF预览

HYMD564726BP8J-D43

更新时间： 2024-11-18 05:38:47
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
30页 381K
描述
1184pin Unbufferd DDR SDRAM DIMMs

阅读下载

中文翻译

获取价格

HYMD564726BP8J-D43 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM184
针数：184Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.84访问模式：SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.7 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：200 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N184JESD-609代码：e6
内存密度：4831838208 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：72功能数量：1
端口数量：1端子数量：184
字数：67108864 words字数代码：64000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：64MX72
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM184
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.6 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
自我刷新：YES最大待机电流：0.09 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：4.86 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.7 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：2.6 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：20Base Number Matches：1

HYMD564726BP8J-D43 数据手册

 浏览型号HYMD564726BP8J-D43的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HYMD564726BP8J-D43的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HYMD564726BP8J-D43的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HYMD564726BP8J-D43的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HYMD564726BP8J-D43的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HYMD564726BP8J-D43的Datasheet PDF文件第7页 
184pin Unbuffered DDR SDRAM DIMMs based on 512Mb B ver.  
This Hynix unbuffered Dual In-Line Memory Module (DIMM) series consists of 512Mb B ver. DDR SDRAMs in 400mil  
TSOP II packages on a 184pin glass-epoxy substrate. This Hynix 512Mb B ver. based unbuffered DIMM series provide  
a high performance 8 byte interface in 5.25" width form factor of industry standard. It is suitable for easy interchange  
and addition.  
FEATURES  
•
•
•
•
•
JEDEC Standard 184-pin dual in-line memory module  
(DIMM)  
•
•
Programmable Burst Length 2 / 4 / 8 with both  
sequential and interleave mode  
Two ranks 128M x 72, 128M x 64 and One rank 64M  
x 72, 64M x 64, 32M x 64 organization  
Edge-aligned DQS with data outs and Center-aligned  
DQS with data inputs  
•
•
•
•
Auto refresh and self refresh supported  
8192 refresh cycles / 64ms  
2.6V ± 0.1V VDD and VDDQ Power supply for  
DDR400, 2.5V ± 0.2V for DDR333 and below  
All inputs and outputs are compatible with SSTL_2  
interface  
Serial Presence Detect (SPD) with EEPROM  
Built with 512Mb DDR SDRAMs in 400 mil TSOP II  
packages  
Fully differential clock operations (CK & /CK) with  
133/166/200MHz  
•
Lead-free product listed for each configuration  
(RoHS compliant)  
•
•
DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition  
Programmable CAS Latency: DDR266(2, 2.5 clock),  
DDR333(2.5 clock), DDR400(3 clock)  
ADDRESS TABLE  
# of  
DRAMs  
Refresh  
# of row/bank/column Address  
Method  
Organization  
Ranks  
SDRAMs  
256MB  
512MB  
512MB  
1GB  
32M x 64  
64M x 64  
64M x 72  
128M x 64  
128M x 72  
1
1
1
2
2
32Mb x 16  
64Mb x 8  
64Mb x 8  
128Mb x 8  
128Mb x 8  
4
8
13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/10(A0~A9)  
13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/11(A0~A9,A11)  
13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/11(A0~A9,A11)  
13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/11(A0~A9,A11)  
13(A0~A12)/2(BA0,BA1)/11(A0~A9,A11)  
8K / 64ms  
8K / 64ms  
8K / 64ms  
8K / 64ms  
8K / 64ms  
9
16  
18  
1GB  
PERFORMANCE RANGE  
-D431  
Part-Number Suffix  
Speed Bin  
-J  
DDR333  
2.5-3-3  
-
-H  
DDR266B  
2.5-3-3  
-
Unit  
-
DDR400B  
3-3-3  
200  
CL - tRCD- tRP  
CL=3  
CK  
MHz  
MHz  
MHz  
Max Clock  
CL=2.5  
166  
166  
133  
Frequency  
CL=2  
133  
133  
133  
Note:  
1. 2.6V ± 0.1V VDD and VDDQ Power supply for DDR400 and 2.5V ± 0.2V for DDR333 and below  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 1.1 / May. 2005  
1
1234567...30

中文翻译

下载PDF

与HYMD564726BP8J-D43相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HYMD564726BP8J-J HYNIX

获取价格

 		1184pin Unbufferd DDR SDRAM DIMMs
HYMD564726CP8-H HYNIX

获取价格

 		184pin Unbuffered DDR SDRAM DIMMs
HYMD564726CP8J-D43 HYNIX

获取价格

 		184pin Unbuffered DDR SDRAM DIMMs
HYMD564726CP8J-J HYNIX

获取价格

 		184pin Unbuffered DDR SDRAM DIMMs
HYMD564726L8 ETC

获取价格

 		64Mx72|2.5V|K/H/L|x9|DDR SDRAM - Unbuffered DIMM 512MB
HYMD564726L8-H HYNIX

获取价格

 		DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184
HYMD564726L8-K HYNIX

获取价格

 		DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184
HYMD564726L8-L HYNIX

获取价格

 		DDR DRAM Module, 64MX72, 0.8ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184
HYMD564G7268 ETC

获取价格

 		64Mx72|2.5V|K/H/L|x9|DDR SDRAM - Registered DIMM 512MB
HYMD564G7268-H HYNIX

获取价格

 		DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.700 X 0.150 INCH, DIMM-184

与HYMD564726BP8J-D43相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证