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HYE25L128160AC-8*

更新时间： 2024-01-17 21:10:51

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?128M (8Mx16) 125MHz 2-2-2 Ext. Temp. ?

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HYE25L128160AC-8* 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	125 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	JESD-609代码：	e0
长度：	9 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	8MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8/2.5,2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.000003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.17 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

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HYB/E 25L128160AC

128-MBit Mobile-RAM

128-MBit Synchronous Low-Power DRAM in Chipsize Packages

Datasheet (Rev. 12/01)

• Automatic and Controlled Precharge

Command

High Performance:

-7.5 -8

Units

• Programmable Burst Length: 1, 2, 4, 8 and

full page

f_CK,MAX

t_CK3,MIN

t_AC3,MAX

t_CK2,MIN

t_AC2,MAX

133 125 MHz

• Programmable Power Reduction Feature by

partial array activation during Self-Refresh

7.5

5.4

9.5

• Data Mask for byte control

9.5

• Auto Refresh (CBR)

• 4096 Refresh Cycles / 64ms

• Self Refresh with programmble refresh period

• Power Down and Clock Suspend Mode

• 8Mbit x 16 organisation

• VDD = 2.5V, VDDQ = 1.8V / 2.5V

• Fully Synchronous to Positive Clock Edge

• Four Banks controlled by BA0 & BA1

• Programmable CAS Latency: 1, 2, 3

• Random Column Address every CLK

(1-N Rule)

• 54-FBGA , with 9 x 6 ball array with 3

depopulated rows, 9 x 8 mm

• Programmable Wrap Sequence: Sequential

or Interleave

• Operating Temperature Range

Commerical ( 0⁰to 70⁰C)

Extended ( -25^oC to +85^oC)

• Deep Power Down Mode

The HYB/E 25L128160AC Mobile-RAMs are a new generation of low power, four bank

Synchronous DRAM’s organized as 4 banks × 2Mbit x16 with additional features for mobile

applications. These synchronous Mobile-RAMs achieve high speed data transfer rates by

employing a chip architecture that prefetches multiple bits and then synchronizes the output data to

a system clock. The chip is fabricated using the Infineon advanced process technology.

The device adds new features to the industry standards set for synchronous DRAM products.

Parts of the memory array can be selected for Self-Refresh and the refresh period during Self-

Refresh is programmable in 4 steps which drastically reduces the self refresh current, depending on

the case temperature of the components in the system application. In addition a “Deep Power Down

Mode” is available. Operating the four memory banks in an interleave fashion allows random access

operation to occur at higher rate. A sequential and gapless data rate is possible depending on burst

length, CAS latency and speed grade of the device. The device operates from a 2.5V power supply

for the core and 1.8V for the bus interface.

The Mobile-RAM is housed in a FBGA “chip-size” package. The Mobile-RAM is available in the

commercial (0⁰to 70⁰C) and Extended( -25^oC to +85^oC) temperature range.

INFINEON Technologies

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