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HYE25L256160AC-7.5

更新时间： 2024-02-26 00:12:22

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HYE25L256160AC-7.5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.47	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	7.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	长度：	12 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	245	电源：	1.8/3.3,2.5/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.0006 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL EXTENDED
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

Dec. 2006

HY[B/E]25L256160AC

HY[B/E]25L256160AF

DRAMs for Mobile Applications

256-MBit Mobile-RAM

RoHS compliant

Internet Data Sheet

Rev. 1.41

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYE25L256160AC-7.5*	ETC	获取价格	?256M (16Mx16) 133MHz 3-3-3 Ext. Temp.?
HYE25L256160AC-75	INFINEON	获取价格	256-Mbit Mobile-RAM
HYE25L256160AC-8	INFINEON	获取价格	256-Mbit Mobile-RAM
HYE25L256160AC-8*	ETC	获取价格	?256M (16Mx16) 125MHz 2-2-2 Ext. Temp. ?
HYE25L256160AF	INFINEON	获取价格	256MBit Mobile-RAM
HYE25L256160AF-7.5	INFINEON	获取价格	BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM
HYE25L256160AF-7.5	QIMONDA	获取价格	256-MBit Mobile-RAM
HYE25L256160AF-75	INFINEON	获取价格	256MBit Mobile-RAM
HYE25L512160AC-7.5	INFINEON	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 8ns, CMOS, PBGA54, 12 X 8 MM, FBGA-54
HYESD0514P	HY	获取价格	4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array