型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYG022N03LQ1U | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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HYG022N03LQ1V | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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HYG023N03LR1C2 | HUAYI |
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此器件为 N 沟道、30V耐压、1.5mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用T |
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HYG023N03LR1D | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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HYG023N03LR1U | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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HYG023N03LR1V | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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HYG023N04LQ1P | HUAYI |
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此器件为40V、2.3mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用Trench流片工艺,该器 |
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HYG024N03LR1D | HUAYI |
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此器件为N 沟道、30V耐压、内阻2.3mΩ、TO-252-2L封装产品,芯片采用Tren |
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HYG025N04NA1C2 | HUAYI |
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此器件为 40V、1.4mΩ、PDFN5*6封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合 |
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HYG025N04NA1D | HUAYI |
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此器件为40V、2.5mΩ、TO-252-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适 |
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