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HYG045P03LQ1U

更新时间： 2024-11-13 02:51:51

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华羿微 - HUAYI		/
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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HYG045P03LQ1U 数据手册

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYG045P03LQ1V	HUAYI	获取价格	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
HYG045P06LA1B	HUAYI	获取价格	此器件为 -60V、3.9mΩ、TO-263-2L封装产品，采用Trench流片工艺，可满
HYG046N04LQ1D	HUAYI	获取价格	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
HYG046N04LQ1U	HUAYI	获取价格	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
HYG046N04LQ1V	HUAYI	获取价格	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
HYG060P04LQ1D	HUAYI	获取价格	此器件为 P 沟道、-40V耐压、5.8mΩ内阻、TO-252-2L封装产品，芯片采用Tr
HYG064N08NA1P	HUAYI	获取价格	此器件为80V、6.4mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用Trench流片工艺，该器
HYG065N15NS1W	HUAYI	获取价格	此器件为80V、6.4mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用Trench流片工艺，该器
HYG065P03LQ1D	HUAYI	获取价格	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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