型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYG065P03LQ1D | HUAYI |
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
HYG065P03LQ1U | HUAYI |
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
HYG065P03LQ1V | HUAYI |
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
HYG067N07NQ1B | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
HYG067N07NQ1P | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
HYG067N07NQ1PS | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
HYG070N04LA1S | HUAYI |
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此器件为40V、6.5mΩ、SOP8L封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如锂电池保 | |
HYG080ND03LA1S | HUAYI |
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此器件为 N 沟道、30V耐压、9.5mΩ内阻、SOP8L双通道封装产品,芯片采用Tren | |
HYG086P06LA1B | HUAYI |
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此器件为 -60V、7.4mΩ、TO-263-2L封装产品,采用Trench流片工艺,可满 | |
HYG090P03LA1C1 | HUAYI |
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此器件为 P 沟道、-30V耐压、7.9mΩ内阻、DFN8L(0303)封装产品,芯片采用 |