型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYG025N04NA1D | HUAYI |
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此器件为40V、2.5mΩ、TO-252-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适 | |
HYG030N02KQ1C2 | HUAYI |
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此器件为 N 沟道、20V耐压、2.2mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用T | |
HYG030N02KQ1D | HUAYI |
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此器件为 N 沟道、20V耐压、2.4mΩ内阻、TO-252-2L封装产品,芯片采用Tre | |
HYG032N02KQ1C2 | HUAYI |
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此器件为25V、2.5mΩ、PDFN5*6封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如锂电 | |
HYG032N03LR1C1 | HUAYI |
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此器件为30V、3.3mΩ、 DFN3*3-8L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件 | |
HYG035N02KA1C2 | HUAYI |
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此器件为 N 沟道、20V耐压、2.6mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用T | |
HYG035N04LR1C2 | HUAYI |
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此器件为40V、2.4mΩ、PDFN5*6封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如锂电 | |
HYG035N04LR1D | HUAYI |
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此器件为40V、3.0mΩ、TO-252-2L封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如 | |
HYG037N03LQ1D | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
HYG037N03LQ1U | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |