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HYE25L256160AC-8*

更新时间： 2024-02-01 21:41:27

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?256M (16Mx16) 125MHz 2-2-2 Ext. Temp. ?

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HYE25L256160AC-8* 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.47	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	7.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	125 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	JESD-609代码：	e0
长度：	12 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8,2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.0006 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.14 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

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HYB/E 25L256160AC

256-MBit Mobile-RAM

256-MBit Synchronous Low-Power DRAM in Chipsize Packages

Datasheet (Rev. 12/01)

• Automatic and Controlled Precharge

Command

High Performance:

-7.5 -8

Units

• Programmable Burst Length: 1, 2, 4, 8 and

full page

f_CK,MAX

t_CK3,MIN

t_AC3,MAX

t_CK2,MIN

t_AC2,MAX

133 125 MHz

• Programmable Power Reduction Feature by

partial array activation during Self-Refresh

7.5

5.4

9.5

• Data Mask for byte control

9.5

• Auto Refresh (CBR)

• 8192 Refresh Cycles / 64ms

• Self Refresh with programmble refresh period

• Power Down and Clock Suspend Mode

• 16Mbit x 16 organisation

• VDD = 2.5V, VDDQ = 1.8V / 2.5V

• Fully Synchronous to Positive Clock Edge

• Four Banks controlled by BA0 & BA1

• Programmable CAS Latency: 2, 3

• Random Column Address every CLK

(1-N Rule)

• 54-FBGA , with 9 x 6 ball array with 3

depopulated rows, 12 x 8 mm

• Programmable Wrap Sequence: Sequential

or Interleave

• Operating Temperature Range

Commerical ( 0⁰to 70⁰C)

Extended ( -25^oC to +85^oC)

• Deep Power Down Mode

The HYB/E 25L256160AC Mobile-RAMs are a new generation of low power, four bank

Synchronous DRAM’s organized as 4 banks × 4Mbit x16 with additional features for mobile

applications. These synchronous Mobile-RAMs achieve high speed data transfer rates by

employing a chip architecture that prefetches multiple bits and then synchronizes the output data to

a system clock.

The device adds new features to the industry standards set for synchronous DRAM products.

Parts of the memory array can be selected for Self-Refresh and the refresh period during Self-

Refresh is programmable in 4 steps which drastically reduces the self refresh current, depending on

the case temperature of the components in the system application. In addition a “Deep Power Down

Mode” is available. Operating the four memory banks in an interleave fashion allows random access

operation to occur at higher rate. A sequential and gapless data rate is possible depending on burst

length, CAS latency and speed grade of the device. The device operates from a 2.5V power supply

for the core and 1.8V for the bus interface.

The Mobile-RAM is housed in a FBGA “chip-size” package. The Mobile-RAM is available in the

commercial (0⁰to 70⁰C) and Extended( -25^oC to +85^oC) temperature range.

INFINEON Technologies

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