型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYESD2045FN2 | HY |
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Sigle Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array | |
HYF33DS512800ATC | INFINEON |
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MEMORY SPECTRUM | |
HYG011N03LR1B6 | HUAYI |
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此器件为 N 沟道、30V耐压、0.9mΩ内阻、TO-263-6L封装产品,芯片采用Tre | |
HYG013N04NA1B | HUAYI |
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此器件为40V、1.5mΩ、TO-263-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适 | |
HYG013N04NA1B6 | HUAYI |
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此器件为40V、1.1mΩ、TO-263-6L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适 | |
HYG015N03LR1C2 | HUAYI |
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BMS | |
HYG015N03LR1P | HUAYI |
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此器件为 N 沟道、30V耐压、1.8mΩ内阻、TO-220FB-3L封装产品,芯片采用T | |
HYG020N04NA1B | HUAYI |
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此器件为40V、1.8mΩ、TO-263-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适 | |
HYG020N04NA1PL | HUAYI |
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此器件为40V、1.8mΩ、TO-3PM-3L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适 | |
HYG022N03LQ1D | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |