型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYG015N03LR1P | HUAYI |
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此器件为 N 沟道、30V耐压、1.8mΩ内阻、TO-220FB-3L封装产品,芯片采用T |
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HYG020N04NA1B | HUAYI |
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此器件为40V、1.8mΩ、TO-263-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适 |
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HYG020N04NA1PL | HUAYI |
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此器件为40V、1.8mΩ、TO-3PM-3L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适 |
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HYG022N03LQ1D | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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HYG022N03LQ1U | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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HYG022N03LQ1V | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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HYG023N03LR1C2 | HUAYI |
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此器件为 N 沟道、30V耐压、1.5mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用T |
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HYG023N03LR1D | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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HYG023N03LR1U | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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HYG023N03LR1V | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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