生命周期: | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.8 | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYF33DS512800ATC | INFINEON |
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MEMORY SPECTRUM |
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HYG011N03LR1B6 | HUAYI |
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此器件为 N 沟道、30V耐压、0.9mΩ内阻、TO-263-6L封装产品,芯片采用Tre |
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HYG013N04NA1B | HUAYI |
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此器件为40V、1.5mΩ、TO-263-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适 |
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HYG013N04NA1B6 | HUAYI |
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此器件为40V、1.1mΩ、TO-263-6L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适 |
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HYG015N03LR1C2 | HUAYI |
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BMS |
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HYG015N03LR1P | HUAYI |
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此器件为 N 沟道、30V耐压、1.8mΩ内阻、TO-220FB-3L封装产品,芯片采用T |
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HYG020N04NA1B | HUAYI |
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此器件为40V、1.8mΩ、TO-263-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适 |
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HYG020N04NA1PL | HUAYI |
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此器件为40V、1.8mΩ、TO-3PM-3L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适 |
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HYG022N03LQ1D | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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HYG022N03LQ1U | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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