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HYE25L128800AC-8

更新时间： 2024-01-28 13:22:52

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英飞凌 - INFINEON		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
51页	401K
描述
Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 9 X 8 MM, FBGA-54

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HYE25L128800AC-8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	FBGA,
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	长度：	9 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

HYE25L128800AC-8 数据手册

HYB/E 25L128800/160AC

128-MBit Mobile RAM

128-MBit Synchronous Low-Power DRAM in Chipsize Packages

Preliminary Datasheet (Rev. 04/01)

• Automatic and Controlled Precharge

Command

High Performance:

-7.5 -8

Units

• Programmable Burst Length: 1, 2, 4, 8 and

full page

f_CK,MAX

133 125 MHz

• Programmable Power Reduction Feature by

partial array activation during Self-Refresh

t_CK3,MIN7.5

t_AC3,MAX5.4

t_CK2,MIN10

• Data Mask for byte control

• Auto Refresh (CBR)

t_AC2,MAX

• Self Refresh with programmble refresh period

• Power Down and Clock Suspend Mode

• 8Mbit x 16 & 16Mbit x8 organisation

• Random Column Address every CLK

(1-N Rule)

• VDD = 2.5V / VDDQ = 1.8V (2.5V tolerant)

• Fully Synchronous to Positive Clock Edge

• Four Banks controlled by BA0 & BA1

• Programmable CAS Latency: 2, 3

• 54-FBGA , with 9 x 6 ball array with 3

depopulated rows, 9 x 8 mm

• Operating Temperature Range

Commerical ( 0⁰to 70⁰C)

• Programmable Wrap Sequence: Sequential

or Interleave

Extended ( -25^oC to +85^oC)

• Deep Power Down Mode

The HYB/E 25L128800/160AC Mobile RAMs are new generation of low power, four bank

Synchronous DRAM’s organized as 4 banks × 2Mbit x16 and 4 banks x 4Mbit x 8 with additional

features for mobile applications. These synchronous Mobile RAMs achieve high speed data

transfer rates by employing a chip architecture that prefetches multiple bits and then synchronizes

the output data to a system clock. The chip is fabricated using the Infineon advanced process

technology.

The device adds new features to the industry standards set for synchronous DRAM products.

Only partials of the memory array can be selected for Self-Refresh and the refresh period during

Self-Refresh is programmable in 4 steps which drastically reduces the self refresh current,

depending on the case temperature of the components in the system application. In addition a

“Deep Power Down Mode” is available. Operating the four memory banks in an interleave fashion

allows random access operation to occur at higher rate. A sequential and gapless data rate is

possible depending on burst length, CAS latency and speed grade of the device. The device

operates from a 2.5V power supply for the core and 1.8V for the bus interface. The Mobile RAM is

housed in a FBGA “chip-size” package. The Mobile RAM is available in the commercial (0⁰to 70⁰C)

and Extended( -25^oC to +85^oC) temperature range

INFINEON Technologies

4.01

12 3 4 5 6 7...51

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