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HYE18P32161ACL85

更新时间: 2024-01-18 02:29:12
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33页 621K
描述
32M Asynchronous/Page CellularRAM

HYE18P32161ACL85 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FBGA, BGA48,6X8,30
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:85 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B48内存密度:33554432 bit
内存宽度:16端子数量:48
字数:2097152 words字数代码:2000000
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:2MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH电源:1.8,1.8/3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.000025 A
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:0.017 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1

HYE18P32161ACL85 数据手册

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Data Sheet, V2.0, December 2003  
HYE18P32161AC-70/L70  
HYE18P32161AC-85/L85  
32M Asynchronous/Page CellularRAM  
CellularRAM  
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