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HYE18P64160AF-12.5

更新时间： 2024-09-27 14:51:19

品牌	Logo	应用领域
奇梦达 - QIMONDA		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
60页	2320K
描述
Pseudo Static RAM, 4MX16, CMOS, PBGA54, GREEN, PLASTIC, VFBGA-54

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HYE18P64160AF-12.5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA,
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	长度：	8 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	54
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

Data Sheet, V1.5, May 2005

HYE18P64160AF-9.6

HYE18P64160AF-12.5

HYE18P64160AF-15

Synchronous Burst CellularRAM^TM(1.5G)

CellularRAM

Memory Products

N e v e r s t o p t h i n k i n g .

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYE25L128160AC-7.5	INFINEON	获取价格	BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM
HYE25L128160AC-7.5*	ETC	获取价格	?128M (8Mx16) 133MHz 3-3-3 Ext. Temp ?
HYE25L128160AC-75	INFINEON	获取价格	128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES
HYE25L128160AC-8	INFINEON	获取价格	128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES
HYE25L128160AC-8*	ETC	获取价格	?128M (8Mx16) 125MHz 2-2-2 Ext. Temp. ?
HYE25L128800AC-7.5	INFINEON	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 9 X 8 MM, FBGA-54
HYE25L128800AC-8	INFINEON	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 9 X 8 MM, FBGA-54
HYE25L256160AC	INFINEON	获取价格	256-Mbit Mobile-RAM
HYE25L256160AC-7.5	QIMONDA	获取价格	256-MBit Mobile-RAM
HYE25L256160AC-7.5	INFINEON	获取价格	BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM