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HY5V72DM-H

更新时间： 2024-01-31 22:04:03

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海力士 - HYNIX		动态存储器
页数	文件大小	规格书
13页	284K
描述
DRAM

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HY5V72DM-H 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Base Number Matches：	1

HY5V72DM-H 数据手册

Preliminary

HY5V72D(L/S)M(P) Series

4Banks x 4M x 32bits Synchronous DRAM

CAPACITANCE (TA= 25 C, f=1MHz)

-H/P

Parameter

Symbol

Unit

Min

Max

CLK

CI1

CI2

TBD

Input capacitance

A0~A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS,

CAS, WE, UDQM, LDQM

TBD

Data input/output capacitance

DQ0 ~ DQ15

CI/O

DC CHARACTERRISTICS I (TA= 0 to 70 C, VDD=3.3±0.3V)

Parameter

Symbol

Min

Max

Unit

Note

Input Leakage Current

Output Leakage Current

Output High Voltage

Output Low Voltage

ILI

ILO

-1

2.4

IOH = -2mA

IOL = +2mA

VOH

VOL

0.4

Note : 1. VIN = 0 to 3.6V, All other balls are not tested under VIN =0V

2. DOUT is disabled, VOUT=0 to 3.6

Rev. 0.2 / May. 2004

1...5 6 789 10 11...13

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HY5V72DSM-P	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90	获取价格
HY5V72DSMP-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	获取价格
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