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HY5V72DSM-P

更新时间： 2024-02-20 12:51:08

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	284K
描述
Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90

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HY5V72DSM-P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA,
针数：	90	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	长度：	13 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11 mm	Base Number Matches：	1

Preliminary

HY5V72D(L/S)M(P) Series

4Banks x4M x 32bits Synchronous DRAM

Document Title

4Bank x 4M x 32bits Synchronous DRAM

Revision History

Revision No.

History

Draft Date

Remark

0.1

Initial Draft

Nov. 2003

Preliminary

Renew the Part Number

HY5V72D(L/S)F(P) series

0.2

May 2004

Preliminary

--> HY5V72D(L/S)M(P) series

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.2 / May. 2004

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V72DSMP-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	获取价格
HY5W26CF-B	ETC	x16 SDRAM	获取价格
HY5W26CF-H	ETC	SDRAM\|4X2MX16\|CMOS\|BGA\|54PIN\|PLASTIC	获取价格
HY5W26CF-HF	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5W26CF-P	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5W26CF-PF	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格