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HY5W26DF-H

更新时间： 2024-01-06 07:40:20

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海力士 - HYNIX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	259K
描述
Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

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HY5W26DF-H 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.71
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	S-PBGA-B54
JESD-609代码：	e1	长度：	8 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

Preliminary

HY5W26D(L)F(P)-H

4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM

Document Title

4Bank x 2M x 16bits Synchronous DRAM

Revision History

Revision No.

History

Initial Draft

Draft Date

February 2004

APRIL 2004

Remark

Preliminary

0.1

0.2

Correcte Erratum of IDD5 Current Spec.

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.2 / Apr. 2004

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5W26DLF-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5W26DLFP-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54	获取价格
HY5W2A2(L/S)F	ETC	4Mx32\|2.5V\|4K\|H\|Handy SDRAM - 128M	获取价格
HY5W2A2(L/S)FC	ETC	4Mx32\|2.5V\|4K\|H\|Handy SDRAM - 128M	获取价格
HY5W2A2F-HC	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90	获取价格
HY5W2A2F-P	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90	获取价格