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HY5RS123235BFP-18L

更新时间: 2024-11-20 15:34:23
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海力士 - HYNIX 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
67页 1092K
描述
DDR DRAM, 16MX32, CMOS, PDSO136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136

HY5RS123235BFP-18L 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA136,12X17,32
针数:136Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.84访问模式:MULTI BANK PAGE BURST
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):550 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66JESD-609代码:e1
长度:14 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:136字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:16MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA136,12X17,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:4,8
最大待机电流:0.04 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.46 mA最大供电电压 (Vsup):1.545 V
最小供电电压 (Vsup):1.455 V标称供电电压 (Vsup):1.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:11 mmBase Number Matches:1

HY5RS123235BFP-18L 数据手册

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HY5RS123235BFP  
512Mbit (16Mx32) GDDR3 SDRAM  
HY5RS123235BFP  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 1.5/ Mar. 2008  
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