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HY5RS573225AFP-11

更新时间： 2024-11-20 18:32:43

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
64页	1093K
描述
DDR DRAM, 8MX32, 0.25ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136

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HY5RS573225AFP-11 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA136,12X17,32
针数：	136	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.25 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	909 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B136
JESD-609代码：	e1	长度：	14 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	136
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	8MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA136,12X17,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	2.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.1 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.2 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

HY5RS573225AFP

256M (8Mx32) GDDR3 SDRAM

HY5RS573225AFP

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 1.7 / Aug. 2006

12 3 4 5 6 7...64

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY5RS573225AFP-12	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.25ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136
HY5RS573225AFP-14	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.26ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136
HY5RS573225AFP-2	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.3ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136
HY5RS573225AFP-2L	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.3ns, CMOS, PBGA136, 11 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-136
HY5RS573225F-14	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.26ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, FBGA-144
HY5RS573225FP-22	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.3ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, LEAD FREE, FBGA-144
HY5S26CF-B	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 9ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54
HY5S26CF-S	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54
HY5S2A6CF-B	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 9ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54
HY5S2A6CF-S	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54