5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | VFBGA, |
| 针数： | 54 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.24 |
| 风险等级： | 5.92 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 7 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B54 | 长度： | 12 mm |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16MX16 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY5S56ELF-H | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 6.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 |
|
| HY5S56ELFP-H | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 6.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-5 |
|
| HY5S56ELFP-S | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54 |
|
| HY5S56ESF-H | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 6.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 |
|
| HY5S56ESFP-S | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54 |
|
| HY5S56ESF-S | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 |
|
| HY5S5A6DLFP-SE | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA- |
|
| HY5S5A6DLF-SE | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 |
|
| HY5S5A6DSFP-SE | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA- |
|
| HY5S5A6DSF-SE | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
