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HY5S5B2CLFP-6E

更新时间： 2024-11-20 07:02:51

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HY5S5B2CLFP-6E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA90,9X15,32
针数：	90	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.82	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B90
JESD-609代码：	e1	长度：	13 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	8MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA90,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.0003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.065 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O

Specification of

256M (8Mx32bit) Mobile SDRAM

Memory Cell Array

- Organized as 4banks of 2,097,152 x32

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.5 / Aug. 2008

12 3 4 5 6 7...54

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY5S5B2CLFP-HE	HYNIX	获取价格	256M (8Mx32bit) Mobile SDRAM
HY5S5B2CLFP-SE	HYNIX	获取价格	256M (8Mx32bit) Mobile SDRAM
HY5S5B3CLFP-6E	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90
HY5S5B3CLFP-HE	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90
HY5S5B3CLFP-SE	HYNIX	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90
HY5S5B6ELF-HE	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 4M x 4Bank x16 I/O
HY5S5B6ELFP-HE	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 4M x 4Bank x16 I/O
HY5S5B6ELFP-SE	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 4M x 4Bank x16 I/O
HY5S5B6ELF-SE	HYNIX	获取价格	256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 4M x 4Bank x16 I/O
HY5S5B6GLF-6	HYNIX	获取价格	256Mbit (16Mx16bit) Mobile SDR Memory